Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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替代:
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不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A
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输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-252
料号:JTG14-66
包装:
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外壳:
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包装:
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描述: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
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替代:
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功率 - 最大值:94W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-3PFM
料号:JTG14-80
包装:
参考价格:21.955900
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替代:
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输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-3PFM
料号:JTG14-82
包装:
参考价格:21.955900
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描述: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
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替代:
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电压 - 集射极击穿(最大值):650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A
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封装:TO-3PFM
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丝印:
外壳:
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包装:
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
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丝印:
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封装:TO-3PFM
料号:JTG14-86
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参考价格:21.955900
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描述: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
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替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
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丝印:
外壳:
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包装:
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
参数: *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):460V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 75°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):460V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/64ns 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:72W 开关能量:480µJ(开),490µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td(开/关)值:37ns/114ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td(开/关)值:39ns/143ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ(开),940µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td(开/关)值:41ns/142ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:66W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:79nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/120ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):58ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:76W 开关能量:570µJ(开),500µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td(开/关)值:33ns/105ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:254W 开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:272W 开关能量:1.05mJ(开),1.03mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:48nC 25°C 时 Td(开/关)值:37ns/112ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,40A *功率 - 最大值:81W 开关能量:760µJ(开),720µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:110nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/143ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ(开),940µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td(开/关)值:41ns/142ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):102ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td(开/关)值:39ns/143ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):225ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
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功率 - 最大值:89W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-3PFM
料号:JTG14-89
包装:
参考价格:21.955900
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
参数: *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):460V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 75°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):460V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/64ns 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:72W 开关能量:480µJ(开),490µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td(开/关)值:37ns/114ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td(开/关)值:39ns/143ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ(开),940µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td(开/关)值:41ns/142ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:66W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:79nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/120ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):58ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:76W 开关能量:570µJ(开),500µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td(开/关)值:33ns/105ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:254W 开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:272W 开关能量:1.05mJ(开),1.03mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:48nC 25°C 时 Td(开/关)值:37ns/112ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,40A *功率 - 最大值:81W 开关能量:760µJ(开),720µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:110nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/143ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ(开),940µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td(开/关)值:41ns/142ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):102ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td(开/关)值:39ns/143ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):225ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A *功率 - 最大值:223W 开关能量:660µJ(开),810µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td(开/关)值:28ns/104ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):103ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
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功率 - 最大值:223W
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丝印:
外壳:
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料号:JTG14-90
包装:
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
参数: *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):460V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 75°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):460V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/64ns 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 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替代:
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丝印:
外壳:
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包装:
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
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外壳:
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包装:
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品牌: Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.
参数: *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):460V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 75°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):460V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 反向恢复时间 (trr):300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/64ns 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 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IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
功率 - 最大值:326W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247N
料号:JTG14-93
包装:
参考价格:21.955900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RGS00TS65HRC11' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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